STP5NA50FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP5NA50FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 VQgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP5NA50FI
STP5NA50FI Datasheet (PDF)
stp5na50.pdf
STP5NA50STP5NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA50 500 V
stp5na80.pdf
STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V
stp5na60.pdf
STP5NA60STP5NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA60 600 V
stp5na80fp.pdf
STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V
stp5na80--.pdf
STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V
Otros transistores... STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , SPP20N60C3 , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 .
Liste
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