Справочник MOSFET. STP5NA50FI

 

STP5NA50FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP5NA50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для STP5NA50FI

 

 

STP5NA50FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:404K  st
 stp5na50.pdf

STP5NA50FI STP5NA50FI

STP5NA50STP5NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA50 500 V

 8.1. Size:393K  st
 stp5na80.pdf

STP5NA50FI STP5NA50FI

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V

 8.2. Size:388K  st
 stp5na60.pdf

STP5NA50FI STP5NA50FI

STP5NA60STP5NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA60 600 V

 8.3. Size:96K  st
 stp5na80fp.pdf

STP5NA50FI STP5NA50FI

STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V

 8.4. Size:50K  st
 stp5na80--.pdf

STP5NA50FI STP5NA50FI

STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V

Другие MOSFET... STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , SPP20N60C3 , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 .

 

 
Back to Top