NTMYS1D2N04CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTMYS1D2N04CL
Código: 1D2N04CL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 134 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 258 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 109 nC
Tiempo de subida (tr): 8.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3000 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0012 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK4
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMYS1D2N04CL
NTMYS1D2N04CL Datasheet (PDF)
ntmys1d2n04cl.pdf
NTMYS1D2N04CLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.1 mW, 258 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 258 A
ntmys4d1n06cl.pdf
MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 4.0 mW, 100 ANTMYS4D1N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V100
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