NTMYS1D2N04CL Todos los transistores

 

NTMYS1D2N04CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTMYS1D2N04CL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 258 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK4
 

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NTMYS1D2N04CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  onsemi
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NTMYS1D2N04CL

NTMYS1D2N04CLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.1 mW, 258 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 258 A

 9.1. Size:326K  onsemi
 ntmys4d1n06cl.pdf pdf_icon

NTMYS1D2N04CL

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 4.0 mW, 100 ANTMYS4D1N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V100

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History: TMAN10N80 | SI7302DN | SFG15R25GF | WNM6002 | IRF7342PBF | SSM95T07GP | SIS888DN

 

 
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