NTMYS1D2N04CL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTMYS1D2N04CL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 258 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: LFPAK4

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NTMYS1D2N04CL datasheet

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NTMYS1D2N04CL

NTMYS1D2N04CL MOSFET Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 mW, 258 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard 1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 40 V 258 A

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NTMYS1D2N04CL

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 4.0 mW, 100 A NTMYS4D1N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard 4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 60 V 100

Otros transistores... NTMFS6H852NL, NTMFS6H864NL, NTMFSC0D9N04CL, NTMTS001N06CL, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, IRFP260, NTMYS4D1N06CL, NTND31225CZ, NTNS1K5N021Z, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF