NTMYS1D2N04CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMYS1D2N04CL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 258 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMYS1D2N04CL

NTMYS1D2N04CL Datasheet (PDF)

..1. Size:336K onsemi
ntmys1d2n04cl.pdf

NTMYS1D2N04CLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.1 mW, 258 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 258 A

9.1. Size:326K onsemi
ntmys4d1n06cl.pdf

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 4.0 mW, 100 ANTMYS4D1N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V100

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Liste

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