Справочник MOSFET. NTMYS1D2N04CL

 

NTMYS1D2N04CL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMYS1D2N04CL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 258 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMYS1D2N04CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  onsemi
 ntmys1d2n04cl.pdf pdf_icon

NTMYS1D2N04CL

NTMYS1D2N04CLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.1 mW, 258 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 258 A

 9.1. Size:326K  onsemi
 ntmys4d1n06cl.pdf pdf_icon

NTMYS1D2N04CL

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 4.0 mW, 100 ANTMYS4D1N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V100

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AUIRFR024N | BF964S | FDR844P | BSC032N03SG | IPU80R2K4P7 | IRL60B216 | NCEAP40ND60AG

 

 
Back to Top

 


 
.