Справочник MOSFET. NTMYS1D2N04CL

 

NTMYS1D2N04CL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMYS1D2N04CL
   Маркировка: 1D2N04CL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 258 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 109 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK4

 Аналог (замена) для NTMYS1D2N04CL

 

 

NTMYS1D2N04CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  onsemi
 ntmys1d2n04cl.pdf

NTMYS1D2N04CL NTMYS1D2N04CL

NTMYS1D2N04CLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.1 mW, 258 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard1.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant40 V 258 A

 9.1. Size:326K  onsemi
 ntmys4d1n06cl.pdf

NTMYS1D2N04CL NTMYS1D2N04CL

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 4.0 mW, 100 ANTMYS4D1N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX LFPAK4 Package, Industry Standard4.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant60 V100

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top