NTND31225CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTND31225CZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: XLLGA6
- Selección de transistores por parámetros
NTND31225CZ Datasheet (PDF)
ntnd31225cz.pdf

NTND31225CZMOSFET Small Signal,Complementary, XLLGAS6,0.65mm x 0.90mm x 0.4mm20 Vwww.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Advanced Trench Complementary MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.5 W @ 4.5 V0.65 mm 0.90 mm Package2.0 W @ 2.5 VN-Channel220 mA These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 20 V3.0
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SSM6P25TU | 2SK412 | SM1F04NSFP | SL13N45F | CS5N65F | IRHMK57260SE | TK25V60X
History: SSM6P25TU | 2SK412 | SM1F04NSFP | SL13N45F | CS5N65F | IRHMK57260SE | TK25V60X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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