Справочник MOSFET. NTND31225CZ

 

NTND31225CZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTND31225CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: XLLGA6
 

 Аналог (замена) для NTND31225CZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTND31225CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  onsemi
 ntnd31225cz.pdf pdf_icon

NTND31225CZ

NTND31225CZMOSFET Small Signal,Complementary, XLLGAS6,0.65mm x 0.90mm x 0.4mm20 Vwww.onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Advanced Trench Complementary MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.5 W @ 4.5 V0.65 mm 0.90 mm Package2.0 W @ 2.5 VN-Channel220 mA These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 20 V3.0

Другие MOSFET... NTMFSC0D9N04CL , NTMTS001N06CL , NTMTS0D6N04C , NTMTS0D6N04CL , NTMTS0D7N06C , NTMTS0D7N06CL , NTMYS1D2N04CL , NTMYS4D1N06CL , AON7410 , NTNS1K5N021Z , NTNS5K0P021Z , NTP055N65S3H , NTP095N65S3HF , NTP110N65S3HF , NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z .

History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
Back to Top

 


 
.