NTND31225CZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTND31225CZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: XLLGA6

Аналог (замена) для NTND31225CZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTND31225CZ даташит

 ..1. Size:207K  onsemi
 ntnd31225cz.pdf pdf_icon

NTND31225CZ

NTND31225CZ MOSFET Small Signal, Complementary, XLLGAS6, 0.65mm x 0.90mm x 0.4mm 20 V www.onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Advanced Trench Complementary MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.5 W @ 4.5 V 0.65 mm 0.90 mm Package 2.0 W @ 2.5 V N-Channel 220 mA These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 20 V 3.0

Другие IGBT... NTMFSC0D9N04CL, NTMTS001N06CL, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, NTMYS4D1N06CL, SPP20N60C3, NTNS1K5N021Z, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z