NTNS1K5N021Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTNS1K5N021Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: XDFN3

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NTNS1K5N021Z datasheet

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NTNS1K5N021Z

NTNS1K5N021Z MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, XDFN3, 0.62 x 0.42 x 0.4 mm www.onsemi.com 20 V, 220 mA Features V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm) 1.5 W @ 4.5 V for Extremely Space-Constrained Applications 1.8 W @ 3.3 V 1.5 V Gate Drive 2.2 W @ 2.5 V 220 mA 20 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/

Otros transistores... NTMTS001N06CL, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, NTMYS4D1N06CL, NTND31225CZ, SKD502T, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N