NTNS1K5N021Z Todos los transistores

 

NTNS1K5N021Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTNS1K5N021Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: XDFN3
 

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NTNS1K5N021Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  onsemi
 ntns1k5n021z.pdf pdf_icon

NTNS1K5N021Z

NTNS1K5N021ZMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,XDFN3,0.62 x 0.42 x 0.4 mmwww.onsemi.com20 V, 220 mAFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm)1.5 W @ 4.5 Vfor Extremely Space-Constrained Applications1.8 W @ 3.3 V 1.5 V Gate Drive2.2 W @ 2.5 V220 mA20 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/

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