NTNS1K5N021Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTNS1K5N021Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: XDFN3

Аналог (замена) для NTNS1K5N021Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTNS1K5N021Z даташит

 ..1. Size:166K  onsemi
 ntns1k5n021z.pdf pdf_icon

NTNS1K5N021Z

NTNS1K5N021Z MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, XDFN3, 0.62 x 0.42 x 0.4 mm www.onsemi.com 20 V, 220 mA Features V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm) 1.5 W @ 4.5 V for Extremely Space-Constrained Applications 1.8 W @ 3.3 V 1.5 V Gate Drive 2.2 W @ 2.5 V 220 mA 20 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/

Другие IGBT... NTMTS001N06CL, NTMTS0D6N04C, NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, NTMYS4D1N06CL, NTND31225CZ, SKD502T, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N