Справочник MOSFET. NTNS1K5N021Z

 

NTNS1K5N021Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTNS1K5N021Z
   Маркировка: E*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: XDFN3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTNS1K5N021Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  onsemi
 ntns1k5n021z.pdf pdf_icon

NTNS1K5N021Z

NTNS1K5N021ZMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,XDFN3,0.62 x 0.42 x 0.4 mmwww.onsemi.com20 V, 220 mAFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm)1.5 W @ 4.5 Vfor Extremely Space-Constrained Applications1.8 W @ 3.3 V 1.5 V Gate Drive2.2 W @ 2.5 V220 mA20 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SI3805DV | 2N5454 | STW6N95K5

 

 
Back to Top

 


 
.