Справочник MOSFET. NTNS1K5N021Z

 

NTNS1K5N021Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTNS1K5N021Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: XDFN3
 

 Аналог (замена) для NTNS1K5N021Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTNS1K5N021Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  onsemi
 ntns1k5n021z.pdf pdf_icon

NTNS1K5N021Z

NTNS1K5N021ZMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,XDFN3,0.62 x 0.42 x 0.4 mmwww.onsemi.com20 V, 220 mAFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm)1.5 W @ 4.5 Vfor Extremely Space-Constrained Applications1.8 W @ 3.3 V 1.5 V Gate Drive2.2 W @ 2.5 V220 mA20 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/

Другие MOSFET... NTMTS001N06CL , NTMTS0D6N04C , NTMTS0D6N04CL , NTMTS0D7N06C , NTMTS0D7N06CL , NTMYS1D2N04CL , NTMYS4D1N06CL , NTND31225CZ , IRF9540N , NTNS5K0P021Z , NTP055N65S3H , NTP095N65S3HF , NTP110N65S3HF , NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z , NTP5862N .

History: MS10N65 | SML501R1GN

 

 
Back to Top

 


 
.