NTNS1K5N021Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTNS1K5N021Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: XDFN3
NTNS1K5N021Z Datasheet (PDF)
ntns1k5n021z.pdf

NTNS1K5N021ZMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,XDFN3,0.62 x 0.42 x 0.4 mmwww.onsemi.com20 V, 220 mAFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm)1.5 W @ 4.5 Vfor Extremely Space-Constrained Applications1.8 W @ 3.3 V 1.5 V Gate Drive2.2 W @ 2.5 V220 mA20 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/
Другие MOSFET... NTMTS001N06CL , NTMTS0D6N04C , NTMTS0D6N04CL , NTMTS0D7N06C , NTMTS0D7N06CL , NTMYS1D2N04CL , NTMYS4D1N06CL , NTND31225CZ , IRF9540N , NTNS5K0P021Z , NTP055N65S3H , NTP095N65S3HF , NTP110N65S3HF , NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z , NTP5862N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet