NTP055N65S3H Todos los transistores

 

NTP055N65S3H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP055N65S3H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 305 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 96 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220-3LD
 

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NTP055N65S3H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  onsemi
 ntp055n65s3h.pdf pdf_icon

NTP055N65S3H

MOSFET - Power,NChannel, SUPERFET) III,FAST650 V, 55 mW, 47 ANTP055N65S3Hwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 55 mW @ 10 V 47 Acharge performance. This advanced t

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History: SWD4N70L | IRFR4105PBF | IRFB3306G | IRLZ14S | IRFB3077G | IRF7341Q | SFP041N100C3

 

 
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