NTP055N65S3H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTP055N65S3H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 305 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO220-3LD

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NTP055N65S3H datasheet

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NTP055N65S3H

MOSFET - Power, N Channel, SUPERFET) III, FAST 650 V, 55 mW, 47 A NTP055N65S3H www.onsemi.com Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 55 mW @ 10 V 47 A charge performance. This advanced t

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