NTP055N65S3H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTP055N65S3H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO220-3LD

Аналог (замена) для NTP055N65S3H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP055N65S3H даташит

 ..1. Size:306K  onsemi
 ntp055n65s3h.pdf pdf_icon

NTP055N65S3H

MOSFET - Power, N Channel, SUPERFET) III, FAST 650 V, 55 mW, 47 A NTP055N65S3H www.onsemi.com Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate 650 V 55 mW @ 10 V 47 A charge performance. This advanced t

Другие IGBT... NTMTS0D6N04CL, NTMTS0D7N06C, NTMTS0D7N06CL, NTMYS1D2N04CL, NTMYS4D1N06CL, NTND31225CZ, NTNS1K5N021Z, NTNS5K0P021Z, 13N50, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N, NTP5D0N15MC, NTPF110N65S3HF