Справочник MOSFET. NTP055N65S3H

 

NTP055N65S3H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP055N65S3H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO220-3LD
 

 Аналог (замена) для NTP055N65S3H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP055N65S3H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  onsemi
 ntp055n65s3h.pdf pdf_icon

NTP055N65S3H

MOSFET - Power,NChannel, SUPERFET) III,FAST650 V, 55 mW, 47 ANTP055N65S3Hwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 55 mW @ 10 V 47 Acharge performance. This advanced t

Другие MOSFET... NTMTS0D6N04CL , NTMTS0D7N06C , NTMTS0D7N06CL , NTMYS1D2N04CL , NTMYS4D1N06CL , NTND31225CZ , NTNS1K5N021Z , NTNS5K0P021Z , TK10A60D , NTP095N65S3HF , NTP110N65S3HF , NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z , NTP5862N , NTP5D0N15MC , NTPF110N65S3HF .

History: IRL3715S

 

 
Back to Top

 


 
.