NTP110N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP110N65S3HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 240 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 62 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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NTP110N65S3HF Datasheet (PDF)
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NTP110N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 30 A, 110 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 110 mW @ 10 V 30 Acharge performance. This advanced
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