NTP110N65S3HF Todos los transistores

 

NTP110N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP110N65S3HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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NTP110N65S3HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  onsemi
 ntp110n65s3hf.pdf pdf_icon

NTP110N65S3HF

NTP110N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 30 A, 110 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 110 mW @ 10 V 30 Acharge performance. This advanced

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History: SSF65R190S2 | SSB80R240SFD | IRLZ34SPBF | NP110N03PUG | TK8R2A06PL | NP33N075YDF | IRLSL4030PBF

 

 
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