Справочник MOSFET. NTP110N65S3HF

 

NTP110N65S3HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTP110N65S3HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 52 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для NTP110N65S3HF

 

 

NTP110N65S3HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  onsemi
ntp110n65s3hf.pdf

NTP110N65S3HF
NTP110N65S3HF

NTP110N65S3HFMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 30 A, 110 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 110 mW @ 10 V 30 Acharge performance. This advanced

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top