NTP360N80S3Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTP360N80S3Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de NTP360N80S3Z MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTP360N80S3Z datasheet

 ..1. Size:267K  onsemi
 ntp360n80s3z.pdf pdf_icon

NTP360N80S3Z

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III 800 V, 360 mW, 13 A NTP360N80S3Z Description www.onsemi.com 800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s high performance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage. New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized for V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX primary switch of flyback converter, enables lower switching losses and case temperatur

Otros transistores... NTND31225CZ, NTNS1K5N021Z, NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, IRFB3607, NTP5862N, NTP5D0N15MC, NTPF110N65S3HF, NTPF150N65S3HF, NTPF190N65S3HF, NTPF360N80S3Z, NTR3A052PZ, NTR3C21NZ