NTP360N80S3Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTP360N80S3Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18.1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z Datasheet (PDF)
ntp360n80s3z.pdf

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTP360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatur
Другие MOSFET... NTND31225CZ , NTNS1K5N021Z , NTNS5K0P021Z , NTP055N65S3H , NTP095N65S3HF , NTP110N65S3HF , NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , AON7506 , NTP5862N , NTP5D0N15MC , NTPF110N65S3HF , NTPF150N65S3HF , NTPF190N65S3HF , NTPF360N80S3Z , NTR3A052PZ , NTR3C21NZ .
History: SFG130N08KF | NDT50N03 | MT7N65 | SFP70N06 | IRFAG50 | SI7100DN | WSD4066DN
History: SFG130N08KF | NDT50N03 | MT7N65 | SFP70N06 | IRFAG50 | SI7100DN | WSD4066DN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618