NTP360N80S3Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTP360N80S3Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25.3 nC
Время нарастания (tr): 18.5 ns
Выходная емкость (Cd): 18.1 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z Datasheet (PDF)
ntp360n80s3z.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTP360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatur
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .