NTP5D0N15MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP5D0N15MC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 139 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
NTP5D0N15MC Datasheet (PDF)
ntp5d0n15mc.pdf

MOSFET - N-ChannelShielded Gate PowerTrench[150 V, 5.0 mW, 139 ANTP5D0N15MCFeatureswww.onsemi.com Shielded Gate MOSFET Technology Max RDS(on) = 5.0 mW at VGS = 10 V, ID = 97 A 50% Lower Qrr than other MOSFET SuppliersV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Lowers Switching Noise/EMI 100% UIL Tested 150 V 5.0 mW @ 10 V 139 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/B
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AP4434GM | APT6025BVR | 2N7064 | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | IXFR80N60P3 | WMJ53N65F2
History: AP4434GM | APT6025BVR | 2N7064 | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | IXFR80N60P3 | WMJ53N65F2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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