NTP5D0N15MC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTP5D0N15MC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 139 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO220

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NTP5D0N15MC datasheet

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NTP5D0N15MC

MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench[ 150 V, 5.0 mW, 139 A NTP5D0N15MC Features www.onsemi.com Shielded Gate MOSFET Technology Max RDS(on) = 5.0 mW at VGS = 10 V, ID = 97 A 50% Lower Qrr than other MOSFET Suppliers V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Lowers Switching Noise/EMI 100% UIL Tested 150 V 5.0 mW @ 10 V 139 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/B

Otros transistores... NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N, IRF530, NTPF110N65S3HF, NTPF150N65S3HF, NTPF190N65S3HF, NTPF360N80S3Z, NTR3A052PZ, NTR3C21NZ, NTTFS002N04C, NTTFS002N04CL