NTP5D0N15MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP5D0N15MC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 139 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1900 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTP5D0N15MC
NTP5D0N15MC Datasheet (PDF)
ntp5d0n15mc.pdf
MOSFET - N-ChannelShielded Gate PowerTrench[150 V, 5.0 mW, 139 ANTP5D0N15MCFeatureswww.onsemi.com Shielded Gate MOSFET Technology Max RDS(on) = 5.0 mW at VGS = 10 V, ID = 97 A 50% Lower Qrr than other MOSFET SuppliersV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Lowers Switching Noise/EMI 100% UIL Tested 150 V 5.0 mW @ 10 V 139 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/B
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