Справочник MOSFET. NTP5D0N15MC

 

NTP5D0N15MC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTP5D0N15MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 139 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP5D0N15MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  onsemi
 ntp5d0n15mc.pdf pdf_icon

NTP5D0N15MC

MOSFET - N-ChannelShielded Gate PowerTrench[150 V, 5.0 mW, 139 ANTP5D0N15MCFeatureswww.onsemi.com Shielded Gate MOSFET Technology Max RDS(on) = 5.0 mW at VGS = 10 V, ID = 97 A 50% Lower Qrr than other MOSFET SuppliersV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Lowers Switching Noise/EMI 100% UIL Tested 150 V 5.0 mW @ 10 V 139 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/B

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQT4N20LTF | SIHG47N60S | NX7002BKXB | 9N95 | S-LP3407LT1G | FQI7N60TU | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.