NTP5D0N15MC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTP5D0N15MC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 139 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTP5D0N15MC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTP5D0N15MC даташит

 ..1. Size:289K  onsemi
 ntp5d0n15mc.pdf pdf_icon

NTP5D0N15MC

MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench[ 150 V, 5.0 mW, 139 A NTP5D0N15MC Features www.onsemi.com Shielded Gate MOSFET Technology Max RDS(on) = 5.0 mW at VGS = 10 V, ID = 97 A 50% Lower Qrr than other MOSFET Suppliers V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Lowers Switching Noise/EMI 100% UIL Tested 150 V 5.0 mW @ 10 V 139 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/B

Другие IGBT... NTNS5K0P021Z, NTP055N65S3H, NTP095N65S3HF, NTP110N65S3HF, NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N, 12N60, NTPF110N65S3HF, NTPF150N65S3HF, NTPF190N65S3HF, NTPF360N80S3Z, NTR3A052PZ, NTR3C21NZ, NTTFS002N04C, NTTFS002N04CL