NTPF360N80S3Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTPF360N80S3Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 25.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 18.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18.1 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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NTPF360N80S3Z Datasheet (PDF)

..1. Size:211K onsemi
ntpf360n80s3z.pdf

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTPF360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatu

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Liste

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