NTPF360N80S3Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTPF360N80S3Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для NTPF360N80S3Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTPF360N80S3Z даташит

 ..1. Size:211K  onsemi
 ntpf360n80s3z.pdf pdf_icon

NTPF360N80S3Z

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III 800 V, 360 mW, 13 A NTPF360N80S3Z Description www.onsemi.com 800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s high performance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage. New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized for V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX primary switch of flyback converter, enables lower switching losses and case temperatu

Другие IGBT... NTP150N65S3HF, NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N, NTP5D0N15MC, NTPF110N65S3HF, NTPF150N65S3HF, NTPF190N65S3HF, STP80NF70, NTR3A052PZ, NTR3C21NZ, NTTFS002N04C, NTTFS002N04CL, NTTFS003N04C, NTTFS004N04C, NTTFS005N04C, NTTFS008N04C