NTPF360N80S3Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTPF360N80S3Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18.1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для NTPF360N80S3Z
NTPF360N80S3Z Datasheet (PDF)
ntpf360n80s3z.pdf

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTPF360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatu
Другие MOSFET... NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z , NTP5862N , NTP5D0N15MC , NTPF110N65S3HF , NTPF150N65S3HF , NTPF190N65S3HF , 20N50 , NTR3A052PZ , NTR3C21NZ , NTTFS002N04C , NTTFS002N04CL , NTTFS003N04C , NTTFS004N04C , NTTFS005N04C , NTTFS008N04C .
History: APM2055NU | OSG55R190PF | SSI60R260S2 | IRFR9024NTRPBF
History: APM2055NU | OSG55R190PF | SSI60R260S2 | IRFR9024NTRPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327