NTPF360N80S3Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTPF360N80S3Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18.1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для NTPF360N80S3Z
NTPF360N80S3Z Datasheet (PDF)
ntpf360n80s3z.pdf

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III800 V, 360 mW, 13 ANTPF360N80S3ZDescriptionwww.onsemi.com800 V SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors highperformance MOSFET family offering 800 V breakdown voltage.New 800 V SUPERFET III MOSFET which is optimized forV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXprimary switch of flyback converter, enables lower switching lossesand case temperatu
Другие MOSFET... NTP150N65S3HF , NTP190N65S3HF , NTP360N80S3Z , NTP5862N , NTP5D0N15MC , NTPF110N65S3HF , NTPF150N65S3HF , NTPF190N65S3HF , 18N50 , NTR3A052PZ , NTR3C21NZ , NTTFS002N04C , NTTFS002N04CL , NTTFS003N04C , NTTFS004N04C , NTTFS005N04C , NTTFS008N04C .
History: NCE20ND07U | AONS66609 | NCE20ND06 | VBZL150N03 | TDM3405 | BRCS500P10DP | NTR3C21NZ
History: NCE20ND07U | AONS66609 | NCE20ND06 | VBZL150N03 | TDM3405 | BRCS500P10DP | NTR3C21NZ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327