NTR3A052PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTR3A052PZ
   Código: TRJ*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTR3A052PZ

NTR3A052PZ Datasheet (PDF)

..1. Size:127K onsemi
ntr3a052pz.pdf

NTR3A052PZMOSFET Power, SingleP-Channel, SOT-23-20 V, -3.6 AFeatures Leading -20 V Trench for Low RDS(on)www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) Max ID MAXCompliantApplications47 mW @ -4.5 V Power Load Switch-20 V 63 mW @ -2.5 V -3.6 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 2

9.1. Size:109K onsemi
ntr3a30pz.pdf

NTR3A30PZPower MOSFET-20 V, -5.5 A, Single P-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT-23 PackageFeatures Low RDS(on) Solution in 2.4 mm x 2.9 mm Packagehttp://onsemi.com ESD Diode-Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(on) Max ID MAXApplications38 mW @ -4.5 V High Side Load Switch-20 V 50 mW @ -2.5 V -5.5 A

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Liste

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