NTR3A052PZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTR3A052PZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для NTR3A052PZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTR3A052PZ даташит

 ..1. Size:127K  onsemi
 ntr3a052pz.pdf pdf_icon

NTR3A052PZ

NTR3A052PZ MOSFET Power, Single P-Channel, SOT-23 -20 V, -3.6 A Features Leading -20 V Trench for Low RDS(on) www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) Max ID MAX Compliant Applications 47 mW @ -4.5 V Power Load Switch -20 V 63 mW @ -2.5 V -3.6 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2

 9.1. Size:109K  onsemi
 ntr3a30pz.pdf pdf_icon

NTR3A052PZ

NTR3A30PZ Power MOSFET -20 V, -5.5 A, Single P-Channel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT-23 Package Features Low RDS(on) Solution in 2.4 mm x 2.9 mm Package http //onsemi.com ESD Diode-Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) Max ID MAX Applications 38 mW @ -4.5 V High Side Load Switch -20 V 50 mW @ -2.5 V -5.5 A

Другие IGBT... NTP190N65S3HF, NTP360N80S3Z, NTP5862N, NTP5D0N15MC, NTPF110N65S3HF, NTPF150N65S3HF, NTPF190N65S3HF, NTPF360N80S3Z, IRFP450, NTR3C21NZ, NTTFS002N04C, NTTFS002N04CL, NTTFS003N04C, NTTFS004N04C, NTTFS005N04C, NTTFS008N04C, NTTFS010N10MCL