SI12N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220

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SI12N60 datasheet

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SI12N60

N-CHANNEL MOSFET SI12N60 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) Value Parameter Symbol Unit SSS12N60 VDSS V 600 Drain-Source Voltage ID 12 A Drain Current -continuous T=25 1 IDM 48 A Drain Current - pulse note 1

Otros transistores... NVATS4A103PZ, NVATS5A106PLZ, PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, SI12N60-F, IRF3205, SI20N03, SI25N10, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260, SI4430