SI12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI12N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SI12N60 MOSFET
SI12N60 Datasheet (PDF)
si12n60.pdf

N-CHANNEL MOSFETSI12N60 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25) Value Parameter Symbol Unit SSS12N60 VDSSV600Drain-Source Voltage ID 12 ADrain Current -continuous T=25 1 IDM 48ADrain Current - pulse note 1
Otros transistores... NVATS4A103PZ , NVATS5A106PLZ , PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , IRF3205 , SI20N03 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 .
History: SFG10R20GF | IRFP250A | SSF11NS65UF | STD10PF06 | SFD347N100C2 | NTMS4N01R2G | FDMS0308AS
History: SFG10R20GF | IRFP250A | SSF11NS65UF | STD10PF06 | SFD347N100C2 | NTMS4N01R2G | FDMS0308AS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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