Справочник MOSFET. SI12N60

 

SI12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SI12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4843K  cn szxunrui
 si12n60.pdf pdf_icon

SI12N60

N-CHANNEL MOSFETSI12N60 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25) Value Parameter Symbol Unit SSS12N60 VDSSV600Drain-Source Voltage ID 12 ADrain Current -continuous T=25 1 IDM 48ADrain Current - pulse note 1

Другие MOSFET... NVATS4A103PZ , NVATS5A106PLZ , PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , IRF3205 , SI20N03 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 .

History: IXFA230N075T2-7 | AOCR36330 | SSF1020A | 7N10G-AA3

 

 
Back to Top

 


 
.