SI12N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SI12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI12N60 даташит

 ..1. Size:4843K  cn szxunrui
 si12n60.pdf pdf_icon

SI12N60

N-CHANNEL MOSFET SI12N60 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) Value Parameter Symbol Unit SSS12N60 VDSS V 600 Drain-Source Voltage ID 12 A Drain Current -continuous T=25 1 IDM 48 A Drain Current - pulse note 1

Другие IGBT... NVATS4A103PZ, NVATS5A106PLZ, PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, SI12N60-F, IRF3205, SI20N03, SI25N10, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260, SI4430