SI20N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI20N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO252

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SI20N03 datasheet

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SI20N03

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI20N03 TO-252 Description D The SI20N03 TO-252 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It S can be used in a wide variety of applications. G General Features Equivalent Circuit RDS(ON) D VDSS ID @10V (typ) 30V 20A 14 m G High density cell design for ultra low R

Otros transistores... NVATS5A106PLZ, PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, SI12N60-F, SI12N60, IRF740, SI25N10, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260, SI4430, SI4614