SI20N03 Todos los transistores

 

SI20N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI20N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SI20N03 Datasheet (PDF)

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SI20N03

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI20N03TO-252 Description DThe SI20N03 TO-252 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Scan be used in a wide variety of applications. GGeneral Features Equivalent CircuitRDS(ON) DVDSS ID @10V (typ) 30V 20A 14 m G High density cell design for ultra low R

Otros transistores... NVATS5A106PLZ , PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , SI12N60 , IRF740 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 , SI4614 .

History: SD8901CY | 8N80 | IRF7700G | PJE8403 | 2SK1722 | NCEP40T19GU | SI2304DS

 

 
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