Справочник MOSFET. SI20N03

 

SI20N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI20N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SI20N03

 

 

SI20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4209K  cn szxunrui
 si20n03.pdf

SI20N03 SI20N03

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI20N03TO-252 Description DThe SI20N03 TO-252 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Scan be used in a wide variety of applications. GGeneral Features Equivalent CircuitRDS(ON) DVDSS ID @10V (typ) 30V 20A 14 m G High density cell design for ultra low R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOD492

 

 
Back to Top