SI20N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI20N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SI20N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI20N03 даташит

 ..1. Size:4209K  cn szxunrui
 si20n03.pdf pdf_icon

SI20N03

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI20N03 TO-252 Description D The SI20N03 TO-252 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It S can be used in a wide variety of applications. G General Features Equivalent Circuit RDS(ON) D VDSS ID @10V (typ) 30V 20A 14 m G High density cell design for ultra low R

Другие IGBT... NVATS5A106PLZ, PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, SI12N60-F, SI12N60, IRF740, SI25N10, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260, SI4430, SI4614