Справочник MOSFET. SI20N03

 

SI20N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI20N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SI20N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4209K  cn szxunrui
 si20n03.pdf pdf_icon

SI20N03

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI20N03TO-252 Description DThe SI20N03 TO-252 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Scan be used in a wide variety of applications. GGeneral Features Equivalent CircuitRDS(ON) DVDSS ID @10V (typ) 30V 20A 14 m G High density cell design for ultra low R

Другие MOSFET... NVATS5A106PLZ , PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , SI12N60 , IRF740 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 , SI4614 .

History: FDC8878 | 2SK970

 

 
Back to Top

 


 
.