SI25N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI25N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO252

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SI25N10 datasheet

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SI25N10

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI25N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide D excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S Battery protection or in other switching application. G Equivalent Circuit General Fea

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