SI25N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI25N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SI25N10 MOSFET
SI25N10 Datasheet (PDF)
si25n10.pdf

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI25N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide Dexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a SBattery protection or in other switching application. GEquivalent CircuitGeneral Fea
Otros transistores... PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , SI12N60 , SI20N03 , IRF840 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 , SI4614 , SI4953 .
History: B0210D | SSP70R380S2 | M7002NND03 | TK6A60D | BFW10 | VB1106K | APT1201R4BLL
History: B0210D | SSP70R380S2 | M7002NND03 | TK6A60D | BFW10 | VB1106K | APT1201R4BLL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet