SI25N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI25N10
Código: 25N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.9 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 8.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SI25N10 Datasheet (PDF)
si25n10.pdf
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N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI25N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide Dexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a SBattery protection or in other switching application. GEquivalent CircuitGeneral Fea
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