Справочник MOSFET. SI25N10

 

SI25N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SI25N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI25N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4265K  cn szxunrui
 si25n10.pdf pdf_icon

SI25N10

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI25N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide Dexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a SBattery protection or in other switching application. GEquivalent CircuitGeneral Fea

Другие MOSFET... PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , SI12N60-F , SI12N60 , SI20N03 , IRF840 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 , SI4614 , SI4953 .

History: SUP70040E

 

 
Back to Top

 


 
.