SI25N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI25N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SI25N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI25N10 даташит

 ..1. Size:4265K  cn szxunrui
 si25n10.pdf pdf_icon

SI25N10

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI25N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide D excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S Battery protection or in other switching application. G Equivalent Circuit General Fea

Другие IGBT... PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, SI12N60-F, SI12N60, SI20N03, IRF840, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260, SI4430, SI4614, SI4953