SI4614 Todos los transistores

 

SI4614 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4614
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8L SOP8
 

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SI4614 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3951K  cn szxunrui
 si4614.pdf pdf_icon

SI4614

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4614N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SI4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channelGeneral Features N-Channel Schematic diagr

 9.1. Size:272K  vishay
 si4618dy.pdf pdf_icon

SI4614

Si4618DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 30 12.50.0195 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS Tested0.010 at VGS = 10 V 15.2 Compliant to RoHS Directi

Otros transistores... SI20N03 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 , SI4430 , IRF640 , SI4953 , SI4N60-TA3-T , SI4N60-TF3-T , SI4N60-TM3-T , SI4N60-TN3-R , SI4N60-TN3-T , SI4N60L-TA3-T , SI4N60L-TF3-T .

History: KMB8D0P30Q | L2N60D | ZXMHC3F381N8 | S2N7002W

 

 
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