SI4614 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4614

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO8L SOP8

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SI4614 datasheet

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SI4614

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4614 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SI4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channel General Features N-Channel Schematic diagr

 9.1. Size:272K  vishay
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SI4614

Si4618DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 30 12.5 0.0195 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS Tested 0.010 at VGS = 10 V 15.2 Compliant to RoHS Directi

Otros transistores... SI20N03, SI25N10, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260, SI4430, IRF640, SI4953, SI4N60-TA3-T, SI4N60-TF3-T, SI4N60-TM3-T, SI4N60-TN3-R, SI4N60-TN3-T, SI4N60L-TA3-T, SI4N60L-TF3-T