Справочник MOSFET. SI4614

 

SI4614 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4614
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 3 ns
   Выходная емкость (Cd): 112 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8L SOP8

 Аналог (замена) для SI4614

 

 

SI4614 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3951K  cn szxunrui
si4614.pdf

SI4614
SI4614

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4614N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SI4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channelGeneral Features N-Channel Schematic diagr

 9.1. Size:272K  vishay
si4618dy.pdf

SI4614
SI4614

Si4618DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 30 12.50.0195 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS Tested0.010 at VGS = 10 V 15.2 Compliant to RoHS Directi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top