SI60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI60N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO252

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SI60N03 Datasheet (PDF)

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si60n03.pdf

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI60N03Product SummaryV 30 VDSTO-252 TO-251 R m D DS(on),max SMDversion 9I 60 AD S SD GGFeaturesEquivalent Circuit For fast switching converters and sync. rectificationD N-channel enhancement - normal levelG Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliantSMARKINGTypical Applications

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Liste

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