SI60N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI60N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

Аналог (замена) для SI60N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI60N03 даташит

 ..1. Size:3316K  cn szxunrui
 si60n03.pdf pdf_icon

SI60N03

Другие IGBT... SI5N60-TM3-T, SI5N60-TN3-R, SI5N60-TN3-T, SI5N60L-TA3-T, SI5N60L-TF3-T, SI5N60L-TM3-T, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, IRF4905, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, SI8205S, SI9435, TX216521M6R, PS3400N