Справочник MOSFET. SI60N03

 

SI60N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI60N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 

 Аналог (замена) для SI60N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI60N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3316K  cn szxunrui
 si60n03.pdf pdf_icon

SI60N03

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI60N03Product SummaryV 30 VDSTO-252 TO-251 R m D DS(on),max SMDversion 9I 60 AD S SD GGFeaturesEquivalent Circuit For fast switching converters and sync. rectificationD N-channel enhancement - normal levelG Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliantSMARKINGTypical Applications

Другие MOSFET... SI5N60-TM3-T , SI5N60-TN3-R , SI5N60-TN3-T , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , IRF4905 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 , TX216521M6R , PS3400N .

History: NP100N04PDH

 

 
Back to Top

 


 
.