SI68H11 Todos los transistores

 

SI68H11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI68H11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO220H TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI68H11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4463K  cn szxunrui
 si68h11.pdf pdf_icon

SI68H11

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI68H11 POWER MOSFET Features 68V,110A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GGD High ruggedness GD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application GDS TO-220Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT40M70LVFRG | UT6898G-S08-R | DMN4010LFG | AFN4946BW | G16P03S | 2P7172A-5 | 2SK664

 

 
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