SI68H11 Todos los transistores

 

SI68H11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI68H11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO220H TO263
 

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SI68H11 Datasheet (PDF)

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SI68H11

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI68H11 POWER MOSFET Features 68V,110A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GGD High ruggedness GD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application GDS TO-220Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value

Otros transistores... SI5N60-TN3-R , SI5N60-TN3-T , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , IRLB4132 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 , TX216521M6R , PS3400N , NVATS5A107PLZ .

History: BUK6507-55C | SFW095N200C3 | APT1001RBLC | 2SK3725-01 | TK19J55D | SIF2N60C | 2SK17

 

 
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