Справочник MOSFET. SI68H11

 

SI68H11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI68H11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO220H TO263
 

 Аналог (замена) для SI68H11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI68H11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4463K  cn szxunrui
 si68h11.pdf pdf_icon

SI68H11

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSI68H11 POWER MOSFET Features 68V,110A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GGD High ruggedness GD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application GDS TO-220Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SI5N60-TN3-R , SI5N60-TN3-T , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , 5N60 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 , TX216521M6R , PS3400N , NVATS5A107PLZ .

History: NP110N04PUG | NCE1503S | P120NF10 | SWF2N65DB | NTD24N06LT4G | SRT10N160LD

 

 
Back to Top

 


 
.