SI68H11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI68H11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO220H TO263

Аналог (замена) для SI68H11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI68H11 даташит

 ..1. Size:4463K  cn szxunrui
 si68h11.pdf pdf_icon

SI68H11

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI68H11 POWER MOSFET Features 68V,110A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m @VGS=10V G G D High ruggedness G D Fast switching TO-263 S S TO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application G D S TO-220 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value

Другие IGBT... SI5N60-TN3-R, SI5N60-TN3-T, SI5N60L-TA3-T, SI5N60L-TF3-T, SI5N60L-TM3-T, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, SI60N03, IRLB4132, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, SI8205S, SI9435, TX216521M6R, PS3400N, NVATS5A107PLZ