SI7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 41 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SI7N65 Datasheet (PDF)
si7n65.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI7N65Description 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features Application R = 1.27 (Max.) @ V = 10V, I = 3.5A DC-DC & DC-AC Converters DS(ON) GS D Fast switching Uninterruptible Power Supply (UPS) 100% avalanche tested Switch Mode Low Power Supplies Improved dv/dt capability PackageTO-220 TO-220
ssw7n60b ssi7n60b.pdf
November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: JCS10N70C
