Справочник MOSFET. SI7N65

 

SI7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.27 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1547K  cn szxunrui
 si7n65.pdf pdf_icon

SI7N65

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI7N65Description 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features Application R = 1.27 (Max.) @ V = 10V, I = 3.5A DC-DC & DC-AC Converters DS(ON) GS D Fast switching Uninterruptible Power Supply (UPS) 100% avalanche tested Switch Mode Low Power Supplies Improved dv/dt capability PackageTO-220 TO-220

 9.1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SI7N65

 9.2. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SI7N65

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DMP3007SPS | 2SK2891-01 | IRF6644 | TK40P03M1 | CI28N120SM | ET8205B | SSW1N50A

 

 
Back to Top

 


 
.