Справочник MOSFET. SI7N65

 

SI7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.27 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SI7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1547K  cn szxunrui
 si7n65.pdf pdf_icon

SI7N65

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI7N65Description 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features Application R = 1.27 (Max.) @ V = 10V, I = 3.5A DC-DC & DC-AC Converters DS(ON) GS D Fast switching Uninterruptible Power Supply (UPS) 100% avalanche tested Switch Mode Low Power Supplies Improved dv/dt capability PackageTO-220 TO-220

 9.1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SI7N65

 9.2. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SI7N65

November 2001SSW7N60B / SSI7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... SI5N60-TN3-T , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , AO3400 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 , TX216521M6R , PS3400N , NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ .

History: IPI80N06S4L-05 | RQ1A070ZP | TPC8018-H | WMJ9N150D1 | IRHQ597110 | ST13P10 | KP785A

 

 
Back to Top

 


 
.