TX216521M6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TX216521M6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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TX216521M6R datasheet

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TX216521M6R

TX216521M6R 20V/50mR@4.5V N-Channel And -20V/95m @-4.5V P-Channel MOSFETs Features N-Channel Applications Inverter VDS(max)=20V Battery Protection ID(max)=4.7A Load Switch RDS(ON) =50m (max)@VGS = 4.5V CCFL Driver RDS(ON) =65m (max)@VGS = 2.5V Improved dv/dt capability Green Device Available Fast switching SOT23-6 Pin

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TX216521M6R

KTX216U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design. C 0

Otros transistores... SI5N60L-TN3-T, SI60N03, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, SI8205S, SI9435, SKD502T, PS3400N, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ