TX216521M6R Todos los transistores

 

TX216521M6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TX216521M6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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TX216521M6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1162K  cn szxunrui
 tx216521m6r.pdf pdf_icon

TX216521M6R

TX216521M6R 20V/50mR@4.5V N-Channel And -20V/95m@-4.5V P-Channel MOSFETs Features N-Channel Applications Inverter VDS(max)=20V Battery Protection ID(max)=4.7A Load Switch RDS(ON) =50m(max)@VGS = 4.5V CCFL Driver RDS(ON) =65m(max)@VGS = 2.5V Improved dv/dt capability Green Device Available Fast switching SOT23-6 Pin

 9.1. Size:59K  kec
 ktx216u.pdf pdf_icon

TX216521M6R

KTX216USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in US6.DIM MILLIMETERS1 6_(Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design. C 0

Otros transistores... SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 , SPP20N60C3 , PS3400N , NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ , NVATS5A113PLZ , NVATS5A114PLZ , NVATS5A302PLZ , NVATS5A304PLZ , NVATS68301PZ .

History: 2SK3635-Z | IRL7833PBF | 2SK3612-01S | PHD23NQ10T | IRL620PBF | DMN6068SE | KP727V

 

 
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