TX216521M6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TX216521M6R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
Tiempo de subida (tr): 8.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TX216521M6R
TX216521M6R Datasheet (PDF)
tx216521m6r.pdf
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TX216521M6R 20V/50mR@4.5V N-Channel And -20V/95m@-4.5V P-Channel MOSFETs Features N-Channel Applications Inverter VDS(max)=20V Battery Protection ID(max)=4.7A Load Switch RDS(ON) =50m(max)@VGS = 4.5V CCFL Driver RDS(ON) =65m(max)@VGS = 2.5V Improved dv/dt capability Green Device Available Fast switching SOT23-6 Pin
ktx216u.pdf
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KTX216USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in US6.DIM MILLIMETERS1 6_(Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design. C 0
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