Справочник MOSFET. TX216521M6R

 

TX216521M6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TX216521M6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для TX216521M6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TX216521M6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1162K  cn szxunrui
 tx216521m6r.pdf pdf_icon

TX216521M6R

TX216521M6R 20V/50mR@4.5V N-Channel And -20V/95m@-4.5V P-Channel MOSFETs Features N-Channel Applications Inverter VDS(max)=20V Battery Protection ID(max)=4.7A Load Switch RDS(ON) =50m(max)@VGS = 4.5V CCFL Driver RDS(ON) =65m(max)@VGS = 2.5V Improved dv/dt capability Green Device Available Fast switching SOT23-6 Pin

 9.1. Size:59K  kec
 ktx216u.pdf pdf_icon

TX216521M6R

KTX216USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in US6.DIM MILLIMETERS1 6_(Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design. C 0

Другие MOSFET... SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 , IRF9540N , PS3400N , NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ , NVATS5A113PLZ , NVATS5A114PLZ , NVATS5A302PLZ , NVATS5A304PLZ , NVATS68301PZ .

History: RU207C | ST2302 | WMK20N50D1 | ISS17EP06LM | SWP069R10VS | SSF1331P | SFG014N100BC3

 

 
Back to Top

 


 
.