TX216521M6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TX216521M6R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.8 nC
Время нарастания (tr): 8.4 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для TX216521M6R
TX216521M6R Datasheet (PDF)
tx216521m6r.pdf
TX216521M6R 20V/50mR@4.5V N-Channel And -20V/95m@-4.5V P-Channel MOSFETs Features N-Channel Applications Inverter VDS(max)=20V Battery Protection ID(max)=4.7A Load Switch RDS(ON) =50m(max)@VGS = 4.5V CCFL Driver RDS(ON) =65m(max)@VGS = 2.5V Improved dv/dt capability Green Device Available Fast switching SOT23-6 Pin
ktx216u.pdf
KTX216USEMICONDUCTORTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.BFEATURESB1Including two devices in US6.DIM MILLIMETERS1 6_(Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1With Built-in bias resistors. _B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Simplify circuit design. C 0
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
