NVB072N65S3 Todos los transistores

 

NVB072N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVB072N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-3
 

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NVB072N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  onsemi
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NVB072N65S3

MOSFET - Power,N-Channel, AutomotiveSUPERFET) III, Easy-Drive650 V, 72 mW, 44 ANVB072N65S3www.onsemi.comDescriptionSuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeBVDSS RDS(on) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology

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History: H05N50E

 

 
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