Справочник MOSFET. NVB072N65S3

 

NVB072N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVB072N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB072N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  onsemi
 nvb072n65s3.pdf pdf_icon

NVB072N65S3

MOSFET - Power,N-Channel, AutomotiveSUPERFET) III, Easy-Drive650 V, 72 mW, 44 ANVB072N65S3www.onsemi.comDescriptionSuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeBVDSS RDS(on) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2639-01 | R6535KNZ1 | SFM9210 | VSE002N03MS-G | H5N5006LM | GSM8943 | 2SK3430-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.