NVB072N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVB072N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-3

Аналог (замена) для NVB072N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB072N65S3 даташит

 ..1. Size:230K  onsemi
 nvb072n65s3.pdf pdf_icon

NVB072N65S3

MOSFET - Power, N-Channel, Automotive SUPERFET) III, Easy-Drive 650 V, 72 mW, 44 A NVB072N65S3 www.onsemi.com Description SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge BVDSS RDS(on) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology

Другие IGBT... PS3400N, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, IRF530, NVB082N65S3F, NVB110N65S3F, NVB150N65S3F, NVB190N65S3F, NVBF170L, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1