NVB072N65S3 - аналоги и даташиты транзистора

 

NVB072N65S3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVB072N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-3
 

 Аналог (замена) для NVB072N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB072N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  onsemi
 nvb072n65s3.pdf pdf_icon

NVB072N65S3

MOSFET - Power,N-Channel, AutomotiveSUPERFET) III, Easy-Drive650 V, 72 mW, 44 ANVB072N65S3www.onsemi.comDescriptionSuperFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeBVDSS RDS(on) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology

Другие MOSFET... PS3400N , NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ , NVATS5A113PLZ , NVATS5A114PLZ , NVATS5A302PLZ , NVATS5A304PLZ , NVATS68301PZ , AO4407 , NVB082N65S3F , NVB110N65S3F , NVB150N65S3F , NVB190N65S3F , NVBF170L , NVBG020N120SC1 , NVBG040N120SC1 , NVBG060N090SC1 .

History: SSI65R360S2E | NCE0117I | NCEP0225G | NTMYS4D1N06CL | HM1P10MR | SSF90R900S2

 

 
Back to Top

 


 
.