NVBG160N120SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVBG160N120SC1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.3 V
Carga de la puerta (Qg): 33.8 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.224 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK-7L
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NVBG160N120SC1 Datasheet (PDF)
nvbg160n120sc1.pdf
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MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANVBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested Qualified According to AEC-Q101Drain (TAB)
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