Справочник MOSFET. NVBG160N120SC1

 

NVBG160N120SC1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVBG160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVBG160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  onsemi
 nvbg160n120sc1.pdf pdf_icon

NVBG160N120SC1

MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANVBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested Qualified According to AEC-Q101Drain (TAB)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM6A10NSU | TK39A60W | SSP6N90A | IRF1404ZLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.