Справочник MOSFET. NVBG160N120SC1

 

NVBG160N120SC1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVBG160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L
 

 Аналог (замена) для NVBG160N120SC1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVBG160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  onsemi
 nvbg160n120sc1.pdf pdf_icon

NVBG160N120SC1

MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANVBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested Qualified According to AEC-Q101Drain (TAB)

Другие MOSFET... NVB110N65S3F , NVB150N65S3F , NVB190N65S3F , NVBF170L , NVBG020N120SC1 , NVBG040N120SC1 , NVBG060N090SC1 , NVBG080N120SC1 , STF13NM60N , NVBGS4D1N15MC , NVBGS6D5N15MC , NVBLS001N06C , NVBLS0D5N04M8 , NVBLS0D7N04M8 , NVBLS0D7N06C , NVBLS1D1N08H , NVBLS4D0N15MC .

 

 
Back to Top

 


 
.