NVBG160N120SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVBG160N120SC1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33.8 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 50.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.224 Ohm
Тип корпуса: D2PAK-7L
Аналог (замена) для NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1 Datasheet (PDF)
..1. Size:332K onsemi
nvbg160n120sc1.pdf
nvbg160n120sc1.pdf
MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANVBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested Qualified According to AEC-Q101Drain (TAB)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
