NVBG160N120SC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVBG160N120SC1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7L

Аналог (замена) для NVBG160N120SC1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVBG160N120SC1 даташит

 ..1. Size:332K  onsemi
 nvbg160n120sc1.pdf pdf_icon

NVBG160N120SC1

MOSFET SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 160 mW, 19.5 A NVBG160N120SC1 www.onsemi.com Features Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF) 1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested Qualified According to AEC-Q101 Drain (TAB)

Другие IGBT... NVB110N65S3F, NVB150N65S3F, NVB190N65S3F, NVBF170L, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1, IRFP250, NVBGS4D1N15MC, NVBGS6D5N15MC, NVBLS001N06C, NVBLS0D5N04M8, NVBLS0D7N04M8, NVBLS0D7N06C, NVBLS1D1N08H, NVBLS4D0N15MC