Справочник MOSFET. NVBG160N120SC1

 

NVBG160N120SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVBG160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L

 Аналог (замена) для NVBG160N120SC1

 

 

NVBG160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  onsemi
 nvbg160n120sc1.pdf

NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1

MOSFET SiC Power,Single N-Channel,D2PAK-7L1200 V, 160 mW, 19.5 ANVBG160N120SC1www.onsemi.comFeatures Typ. RDS(on) = 160 mW Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 33.8 nC)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50.7 pF)1200 V 224 mW @ 20 V 19.5 A 100% Avalanche Tested Qualified According to AEC-Q101Drain (TAB)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MS65R120C

 

 
Back to Top