NVC3S5A51PLZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVC3S5A51PLZ
   Código: WH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPH3

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NVC3S5A51PLZ Datasheet (PDF)

..1. Size:851K onsemi
nvc3s5a51plz.pdf

NVC3S5A51PLZ Power MOSFET 60V, 250m, 1.8A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed to minimize gate charge and low on www.onsemi.com resistance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max 4V drive 250m@ 10V High ESD protection 60V 330m@ 4.5V 1.8A Low On-Resista

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