NVC3S5A51PLZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVC3S5A51PLZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: CPH3

Аналог (замена) для NVC3S5A51PLZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVC3S5A51PLZ даташит

 ..1. Size:851K  onsemi
 nvc3s5a51plz.pdf pdf_icon

NVC3S5A51PLZ

NVC3S5A51PLZ Power MOSFET 60V, 250m , 1.8A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed to minimize gate charge and low on www.onsemi.com resistance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max 4V drive 250m @ 10V High ESD protection 60V 330m @ 4.5V 1.8A Low On-Resista

Другие IGBT... NVBGS4D1N15MC, NVBGS6D5N15MC, NVBLS001N06C, NVBLS0D5N04M8, NVBLS0D7N04M8, NVBLS0D7N06C, NVBLS1D1N08H, NVBLS4D0N15MC, 20N50, NVD5C446N, NVD5C454N, NVD5C454NL, NVD5C632NL, NVD5C668NL, NVD5C688NL, NVD6415ANL, NVF2955P