NVC3S5A51PLZ - аналоги и даташиты транзистора

 

NVC3S5A51PLZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVC3S5A51PLZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: CPH3
 

 Аналог (замена) для NVC3S5A51PLZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVC3S5A51PLZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  onsemi
 nvc3s5a51plz.pdf pdf_icon

NVC3S5A51PLZ

NVC3S5A51PLZ Power MOSFET 60V, 250m, 1.8A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed to minimize gate charge and low on www.onsemi.com resistance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max 4V drive 250m@ 10V High ESD protection 60V 330m@ 4.5V 1.8A Low On-Resista

Другие MOSFET... NVBGS4D1N15MC , NVBGS6D5N15MC , NVBLS001N06C , NVBLS0D5N04M8 , NVBLS0D7N04M8 , NVBLS0D7N06C , NVBLS1D1N08H , NVBLS4D0N15MC , 2N60 , NVD5C446N , NVD5C454N , NVD5C454NL , NVD5C632NL , NVD5C668NL , NVD5C688NL , NVD6415ANL , NVF2955P .

History: FDBL0260N100 | 2SK3850D | IXFT30N60X | SL11N65CK | FDBL86063 | UJN1208K | 2SK3831

 

 
Back to Top

 


 
.