Справочник MOSFET. NVC3S5A51PLZ

 

NVC3S5A51PLZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVC3S5A51PLZ
   Маркировка: WH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
   Время нарастания (tr): 5.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 29 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: CPH3

 Аналог (замена) для NVC3S5A51PLZ

 

 

NVC3S5A51PLZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  onsemi
 nvc3s5a51plz.pdf

NVC3S5A51PLZ NVC3S5A51PLZ

NVC3S5A51PLZ Power MOSFET 60V, 250m, 1.8A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed to minimize gate charge and low on www.onsemi.com resistance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max 4V drive 250m@ 10V High ESD protection 60V 330m@ 4.5V 1.8A Low On-Resista

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top