NVHL160N120SC1 Todos los transistores

 

NVHL160N120SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVHL160N120SC1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.224 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-3LD
 

 Búsqueda de reemplazo de NVHL160N120SC1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NVHL160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  onsemi
 nvhl160n120sc1.pdf pdf_icon

NVHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 160 mW, 17 ANVHL160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17 A Qualified According to AEC-Q101 These Devices are RoHS CompliantN-CHANN

Otros transistores... NVHL027N65S3F , NVHL040N65S3F , NVHL050N65S3HF , NVHL060N090SC1 , NVHL072N65S3 , NVHL080N120SC1 , NVHL080N120SC1A , NVHL082N65S3F , 2SK3918 , NVMFD016N06C , NVMFD020N06C , NVMFD024N06C , NVMFD030N06C , NVMFD5853NWF , NVMFD5875NL , NVMFD5C446N , NVMFD5C446NL .

History: IXTM7N50A | AM4480N | IRF6631

 

 
Back to Top

 


 
.