NVHL160N120SC1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVHL160N120SC1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.224 Ohm

Encapsulados: TO-247-3LD

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NVHL160N120SC1 datasheet

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NVHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 160 mW, 17 A NVHL160N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 160 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50 pF) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested 1200 V 224 mW @ 20 V 17 A Qualified According to AEC-Q101 These Devices are RoHS Compliant N-CHANN

Otros transistores... NVHL027N65S3F, NVHL040N65S3F, NVHL050N65S3HF, NVHL060N090SC1, NVHL072N65S3, NVHL080N120SC1, NVHL080N120SC1A, NVHL082N65S3F, EMB04N03H, NVMFD016N06C, NVMFD020N06C, NVMFD024N06C, NVMFD030N06C, NVMFD5853NWF, NVMFD5875NL, NVMFD5C446N, NVMFD5C446NL