NVHL160N120SC1 Todos los transistores

 

NVHL160N120SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVHL160N120SC1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.224 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-3LD
 

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NVHL160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  onsemi
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NVHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 160 mW, 17 ANVHL160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17 A Qualified According to AEC-Q101 These Devices are RoHS CompliantN-CHANN

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History: 2SK565 | SWT45N65K2F | FQPF16N25C | DMN6140L | SE20P03 | FQD30N06TM | AP0103GMT-HF

 

 
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