Справочник MOSFET. NVHL160N120SC1

 

NVHL160N120SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVHL160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3LD

 Аналог (замена) для NVHL160N120SC1

 

 

NVHL160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  onsemi
 nvhl160n120sc1.pdf

NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 160 mW, 17 ANVHL160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17 A Qualified According to AEC-Q101 These Devices are RoHS CompliantN-CHANN

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top