Справочник MOSFET. NVHL160N120SC1

 

NVHL160N120SC1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVHL160N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3LD
 

 Аналог (замена) для NVHL160N120SC1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVHL160N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  onsemi
 nvhl160n120sc1.pdf pdf_icon

NVHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 160 mW, 17 ANVHL160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17 A Qualified According to AEC-Q101 These Devices are RoHS CompliantN-CHANN

Другие MOSFET... NVHL027N65S3F , NVHL040N65S3F , NVHL050N65S3HF , NVHL060N090SC1 , NVHL072N65S3 , NVHL080N120SC1 , NVHL080N120SC1A , NVHL082N65S3F , 2SK3918 , NVMFD016N06C , NVMFD020N06C , NVMFD024N06C , NVMFD030N06C , NVMFD5853NWF , NVMFD5875NL , NVMFD5C446N , NVMFD5C446NL .

History: STF13N60M2 | SIHFD014 | SP8M70 | PSMN5R6-100PS | 2SK1074 | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.