NVHL160N120SC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVHL160N120SC1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.224 Ohm

Тип корпуса: TO-247-3LD

Аналог (замена) для NVHL160N120SC1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVHL160N120SC1 даташит

 ..1. Size:310K  onsemi
 nvhl160n120sc1.pdf pdf_icon

NVHL160N120SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 1200 V, 160 mW, 17 A NVHL160N120SC1 Features Typ. RDS(on) = 160 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 34 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 50 pF) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested 1200 V 224 mW @ 20 V 17 A Qualified According to AEC-Q101 These Devices are RoHS Compliant N-CHANN

Другие IGBT... NVHL027N65S3F, NVHL040N65S3F, NVHL050N65S3HF, NVHL060N090SC1, NVHL072N65S3, NVHL080N120SC1, NVHL080N120SC1A, NVHL082N65S3F, EMB04N03H, NVMFD016N06C, NVMFD020N06C, NVMFD024N06C, NVMFD030N06C, NVMFD5853NWF, NVMFD5875NL, NVMFD5C446N, NVMFD5C446NL