STP9N30 Todos los transistores

 

STP9N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP9N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP9N30 datasheet

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STP9N30

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STP9N30

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STP9N30

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
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STP9N30

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