Справочник MOSFET. STP9N30

 

STP9N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP9N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  st
stp9n30.pdfpdf_icon

STP9N30

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdfpdf_icon

STP9N30

STP9NC65STP9NC65FPN-CHANNEL 650V - 0.75 - 8A TO-220/TO-220FPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NC65 650 V

 9.2. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdfpdf_icon

STP9N30

STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdfpdf_icon

STP9N30

STP9NK65ZSTP9NK65ZFPN-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FPZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK65ZFP 650 V

Другие MOSFET... STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI , STP7NA60 , STP7NA60FI , STP8N50XI , STP8NA50 , STP8NA50FI , IRFZ46N , STP9NA50 , STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 , STV33N10 , STV36N06 , STV3NA80 .

History: STSJ50NH3LL | STP9N65M2 | FQB22P10TMF085

 

 
Back to Top

 


 
.