PJM02N60SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJM02N60SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de PJM02N60SA MOSFET
PJM02N60SA Datasheet (PDF)
pjm02n60sa.pdf

PJM02 60SAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 R
Otros transistores... NVTFS6H860N , NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , 7N65 , PJM07P20SA , PJM10H03NSC , PJM138NSA , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA .
History: IRFPE40 | NTMFS5C670NT1G | KNP6165B | SRT10N130H | KNP6165A | OSG60R380DF | NCE0208IA
History: IRFPE40 | NTMFS5C670NT1G | KNP6165B | SRT10N130H | KNP6165A | OSG60R380DF | NCE0208IA



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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