PJM02N60SA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJM02N60SA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PJM02N60SA datasheet

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PJM02N60SA

PJM02 60SA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor Features SOT-23 R

Otros transistores... NVTFS6H860N, NVTFS6H860NL, NVTFS6H880N, NVTFS6H880NL, NVTFS6H888N, NVTFS6H888NL, NVTFS9D6P04M8L, STD25P03L, IRF3710, PJM07P20SA, PJM10H03NSC, PJM138NSA, PJM2300NSA, PJM2300NSA-L, PJM2301PSA, PJM2301PSA-S, PJM2302NSA