PJM02N60SA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJM02N60SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.5 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 34 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.105 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для PJM02N60SA
PJM02N60SA Datasheet (PDF)
..1. Size:1420K pjsemi
pjm02n60sa.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
pjm02n60sa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PJM02 60SAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 R
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HGA130N12S