Справочник MOSFET. PJM02N60SA

 

PJM02N60SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJM02N60SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PJM02N60SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM02N60SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1420K  pjsemi
pjm02n60sa.pdfpdf_icon

PJM02N60SA

PJM02 60SAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 R

Другие MOSFET... NVTFS6H860N , NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , IRFB4227 , PJM07P20SA , PJM10H03NSC , PJM138NSA , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA .

History: UTT75N75 | TK9A20DA | AP4453M | R6024KNJ | WMM161N15T2 | SHDG225509 | SSF4624

 

 
Back to Top

 


 
.