PJM07P20SA Todos los transistores

 

PJM07P20SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJM07P20SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PJM07P20SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1411K  pjsemi
 pjm07p20sa.pdf pdf_icon

PJM07P20SA

PJM07P20SAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-20V, ID=-7ARDS(on)=30m (Max.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge 1. Gate 2.Source 3.Drain ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise speci

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History: AON6758 | CEB6186 | SSM6P39TU | CEB35P10 | CEP3120 | FQA90N10V2 | APM4534K

 

 
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