PJM07P20SA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJM07P20SA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PJM07P20SA datasheet

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PJM07P20SA

PJM07P20SA P Enhancement Field Effect Transistor SOT-23 Features VDS=-20V, ID=-7A RDS(on)=30m (Max.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge 1. Gate 2.Source 3.Drain Applications Schematic Diagram Load Switch and in PWM Applications Drain 3 1 Gate Source 2 Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise speci

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