PJM07P20SA Todos los transistores

 

PJM07P20SA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJM07P20SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PJM07P20SA PDF Specs

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PJM07P20SA

PJM07P20SA P Enhancement Field Effect Transistor SOT-23 Features VDS=-20V, ID=-7A RDS(on)=30m (Max.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge 1. Gate 2.Source 3.Drain Applications Schematic Diagram Load Switch and in PWM Applications Drain 3 1 Gate Source 2 Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise speci... See More ⇒

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