Справочник MOSFET. PJM07P20SA

 

PJM07P20SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJM07P20SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PJM07P20SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM07P20SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1411K  pjsemi
 pjm07p20sa.pdf pdf_icon

PJM07P20SA

PJM07P20SAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-20V, ID=-7ARDS(on)=30m (Max.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge 1. Gate 2.Source 3.Drain ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise speci

Другие MOSFET... NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , IRFB4110 , PJM10H03NSC , PJM138NSA , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA , PJM2302NSA-S .

History: FQAF7N90 | HYG110P04LQ2C2 | TK6B60D | KTJ6131E | SVT20240NT | SWMQI6N70DA | HFP7N60

 

 
Back to Top

 


 
.