PJM07P20SA - описание и поиск аналогов

 

PJM07P20SA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJM07P20SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для PJM07P20SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM07P20SA даташит

 ..1. Size:1411K  pjsemi
 pjm07p20sa.pdf pdf_icon

PJM07P20SA

PJM07P20SA P Enhancement Field Effect Transistor SOT-23 Features VDS=-20V, ID=-7A RDS(on)=30m (Max.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge 1. Gate 2.Source 3.Drain Applications Schematic Diagram Load Switch and in PWM Applications Drain 3 1 Gate Source 2 Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise speci

Другие MOSFET... NVTFS6H860NL , NVTFS6H880N , NVTFS6H880NL , NVTFS6H888N , NVTFS6H888NL , NVTFS9D6P04M8L , STD25P03L , PJM02N60SA , AON6414A , PJM10H03NSC , PJM138NSA , PJM2300NSA , PJM2300NSA-L , PJM2301PSA , PJM2301PSA-S , PJM2302NSA , PJM2302NSA-S .

History: DMT4003SCT | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | APQ04SN60AF | IPA037N08N3 | ME2345A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.